QLC 和 TLC

TLC全称是苹果Level Cell，进一步提高了存储密度
，或最每个存储单元可以存储3bit的早于e中信息。

TLC NAND 的使用D闪成本甚至比 MLC NAND 更低，这使其成为消费电子产品和主流 SSD 的存存储上AI训练理想选择 。

QLC的苹果服务商与产品‌全称是Quad-level cells，每个cell可以存储4bit的或最数据，相比TLC ，早于e中QLC的使用D闪存储密度提升了33%。

QLC NAND 通常用于入门级消费级 SSD 和大容量存储应用。存存储上QLC NAND 的苹果耐久性最低，通常 P/E 周期 (擦除周期) 在 100 到 1000 之间。或最

制造商实施先进的早于e中阿里云ECS纠错机制 、OP（ Over）和Wear来保持可靠性。使用D闪

虽然 QLC NAND 可能不适合写入密集型工作负载，存存储上但它为日常使用提供了充足的存储容量，使更广泛的腾讯云CVM用户可以使用 SSD
。

据报道 ，苹果正在推广 QLC NAND

最早泄露的信息称 ，苹果计划在14系列上采用QLC NAND，IT之家今年1月份就报道称，华为云ECS苹果可能会在16 Pro系列上采用QLC NAND。

估计 ，苹果正在加速向QLC NAND的过渡，从而将内置存储的AWS EC2上限提高到2TB。

不过需要注意的是  ，虽然QLC的密度比TLC高，但速度却比后者慢；而且由于单个单元中单元数量更多，因此它们的Azure VM耐久性较低 ，这意味着它们能处理的写入周期比TLC少。

认识大语言模型

苹果还在探索如何使用 NAND 闪存而不是 RAM 来存储大型语言模型 (LLM)，从而能够在本地运行更多的 AI 任务 ，因此过渡到 QLC NAND 可以帮助提高苹果的Google Compute Engine性能 。

本站简单学堂，主要教新手怎么在网上开店，分享网店运营知识，全力为学员打造一个电商学习的天翼云综合平台，欢迎您的关注。